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100-9 999 paire
1,25 €
≥10 000 paire

Spécification

1 pair 2SA1943/2SC5200

Caractéristiques

Référence fabricant

2SA1943

Type

MOSFET

Marque nom

Toshiba

Type de paquet

Norme

Description

AUTRE

Point d'origine

Japan

Expédition

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Caractéristiques du produit

Type
MOSFET
Application
Norme
Type de paquet
Norme
Type de montage
Norme
FET Caractéristique
Standard
Configuration
Norme
Médias Disponibles
Autre
Package/Boîte
standard
Description
AUTRE
Référence fabricant
2SA1943
Marque nom
Toshiba
Point d'origine
Japan
Code date de fabrication
Norme
Tension de rupture collecteur-émetteur (max.)
Norme
Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic
Norme
Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce
Norme
Résistance-socle (R1)
Norme
Résistance-socle émetteur (R2)
Norme
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
Norme
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
Norme
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
Norme
Vgs (th) (Max) @ Id
Norme
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
Norme
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
Norme
Fréquence
Norme
Courant nominal (ampères)
Norme
Facteur de bruit
Norme
Alimentation-Sortie
Norme
Tension Nominale
Norme
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
Norme
Vgs (Max)
Norme
Type IGBT
Norme
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic
Norme
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce
Norme
Entrée
Norme
Thermistance NTC
Norme
Tension-panne (V (BR) GSS)
Norme
Courant-vidange (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
Norme
Vidange de courant (Id)-Max
Norme
Tension-coupure (VGS off) @ Id
Norme
Résistance-RDS (On)
Norme
Tension-Sortie
Norme
Tension-décalage (Vt)
Norme
Courant-porte à la fuite d'anode (Igao)
Norme
Courant-vallée (Iv)
Norme
Courant-Crête
Norme

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
15X10X4 cm
unique poids brut
0.200 kg

Délai de préparation de la commande

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Avertissement/Disclaimer
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