En stock 70T3589S166BF8 208 LFBGA Composant électronique mémoire
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Attributs
SRAM - Double port, synchroneTechnologie
volatileType de mémoire
64Kx36Organisation de la mémoire
Composant et pièceType
2 MbitsTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Type de conditionnement:Bande et bobine (TR)
Application:Mémoire
Caractéristiques:Circuit intégré de puce de composant électronique IC
Tension D'alimentation:2,4 V ~ 2,6 V
Fréquence de l'horloge:166 MHz
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:-
Interface mémoire:Parallèle

5Chips Tech Limited
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Marchés principaux: Kazakhstan, Hong Kong (RAS), Danemark, États-Unis d'Amérique, Australie
Caractéristiques du produit
Technologie
SRAM - Double port, synchrone
Type de mémoire
volatile
Organisation de la mémoire
64Kx36
Type
Composant et pièce
Application
Mémoire
Caractéristiques
Circuit intégré de puce de composant électronique IC
Fréquence de l'horloge
166 MHz
Point d'origine
China
Taille de La mémoire
2 Mbits
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
-
Tension D'alimentation
2,4 V ~ 2,6 V
Type de conditionnement
Bande et bobine (TR)
Interface mémoire
Parallèle
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