En stock AS4C2G16D4-62BCN 96 TFBGA Composants mémoire électroniques
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5Chips Tech Limited
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Attributs
SDRAM-DDDR4Technologie
volatileType de mémoire
2G à 16Organisation de la mémoire
Composant et pièceType
32 GoTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Type de conditionnement:Plateau
Application:Mémoire
Caractéristiques:Kit de composants électroniques
Tension D'alimentation:1,14 V ~ 1,26 V
Fréquence de l'horloge:1,6 GHz
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:-
Interface mémoire:Parallèle
Caractéristiques du produit
Technologie
SDRAM-DDDR4
Type de mémoire
volatile
Organisation de la mémoire
2G à 16
Type
Composant et pièce
Taille de La mémoire
32 Go
Point d'origine
China
Type de conditionnement
Plateau
Application
Mémoire
Caractéristiques
Kit de composants électroniques
Tension D'alimentation
1,14 V ~ 1,26 V
Fréquence de l'horloge
1,6 GHz
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
-
Interface mémoire
Parallèle
Emballage et livraison
vente Unités
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