En stock Achetez des composants électroniques en ligne 7164L35TDB 28 CDIP Mémoire
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Attributs
Composant et pièceType
64 KoTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
TuyauType de conditionnement
MémoireApplication
Composant électroniqueCaractéristiques
Type de mémoire:volatile
Technologie:SRAM - Asynchrone
Tension D'alimentation:4,5 V ~ 5,5 V
Fréquence de l'horloge:-
Organisation de la mémoire:8K par 8
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:35 secondes
Interface mémoire:Parallèle
Caractéristiques du produit
Type
Composant et pièce
Taille de La mémoire
64 Ko
Point d'origine
China
Type de conditionnement
Tuyau
Application
Mémoire
Caractéristiques
Composant électronique
Type de mémoire
volatile
Technologie
SRAM - Asynchrone
Tension D'alimentation
4,5 V ~ 5,5 V
Fréquence de l'horloge
-
Organisation de la mémoire
8K par 8
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
35 secondes
Interface mémoire
Parallèle
Emballage et livraison
vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.100 kg
Délai de préparation de la commande
Description des produits par le fournisseur
Avertissement/Disclaimer
California Proposition 65 Avis aux consommateursVoir plus
100 - 3 099 pièce
0,5138 €
>= 3 100 pièce
0,2569 €
Options
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7164L35TDB : 7164L35TDB: 716
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