En stock Acheter des composants électroniques en ligne MT29E6T08ETHBBM5-3:B Mémoire TR
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Attributs
Composant et pièceType
6 térabitsTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Bande et bobine (TR)Type de conditionnement
MémoireApplication
Circuits intégrés électroniquesCaractéristiques
Type de mémoire:Non volatile
Technologie:FLASH - NAND
Tension D'alimentation:2,5 V ~ 3,6 V
Fréquence de l'horloge:333 MHz
Organisation de la mémoire:768Gx8
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:-
Interface mémoire:Parallèle
Caractéristiques du produit
Type
Composant et pièce
Taille de La mémoire
6 térabits
Point d'origine
China
Type de conditionnement
Bande et bobine (TR)
Application
Mémoire
Caractéristiques
Circuits intégrés électroniques
Type de mémoire
Non volatile
Technologie
FLASH - NAND
Tension D'alimentation
2,5 V ~ 3,6 V
Fréquence de l'horloge
333 MHz
Organisation de la mémoire
768Gx8
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
-
Interface mémoire
Parallèle
Emballage et livraison
vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.100 kg
Délai de préparation de la commande
Description des produits par le fournisseur
Avertissement/Disclaimer
California Proposition 65 Avis aux consommateursVoir plus
1 000 - 3 999 pièce
204,45 €
>= 4 000 pièce
102,23 €
Options
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MT29E6T08ETHBBM5 3 : B TR
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