En stock Achetez des composants électroniques en ligne MT29GZ6A6BPIET-046IT.112 Mémoire TR
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Attributs
Composant et pièceType
8 Gbits (NAND), 8 Gbits (LPDDR4)Taille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Bande et bobine (TR)Type de conditionnement
MémoireApplication
Composants électroniquesCaractéristiques
Type de mémoire:-
Technologie:FLASH - NAND
Tension D'alimentation:-
Fréquence de l'horloge:2,133 GHz
Organisation de la mémoire:1 Go x 8 (NAND), 512 Mo x 16 (LPDDR4)
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:-
Interface mémoire:ONFI
Caractéristiques du produit
Type
Composant et pièce
Taille de La mémoire
8 Gbits (NAND), 8 Gbits (LPDDR4)
Point d'origine
China
Type de conditionnement
Bande et bobine (TR)
Application
Mémoire
Caractéristiques
Composants électroniques
Type de mémoire
-
Technologie
FLASH - NAND
Tension D'alimentation
-
Fréquence de l'horloge
2,133 GHz
Organisation de la mémoire
1 Go x 8 (NAND), 512 Mo x 16 (LPDDR4)
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
-
Interface mémoire
ONFI
Emballage et livraison
vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.100 kg
Délai de préparation de la commande
Description des produits par le fournisseur
Avertissement/Disclaimer
California Proposition 65 Avis aux consommateursVoir plus
2 000 - 4 999 pièce
5,74 €
>= 5 000 pièce
2,87 €
Options
SélectionnerSpécification
MT29GZ6A6BPIET 046IT.112 TR
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