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En stock Achetez des composants électroniques en ligne MT29GZ6A6BPIET-046IT.112 Mémoire TR

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Attributs

Composant et pièceType
8 Gbits (NAND), 8 Gbits (LPDDR4)Taille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Bande et bobine (TR)Type de conditionnement
MémoireApplication
Composants électroniquesCaractéristiques
Type de mémoire:-
Technologie:FLASH - NAND
Tension D'alimentation:-
Fréquence de l'horloge:2,133 GHz
Organisation de la mémoire:1 Go x 8 (NAND), 512 Mo x 16 (LPDDR4)
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:-
Interface mémoire:ONFI

Caractéristiques du produit

Type
Composant et pièce
Taille de La mémoire
8 Gbits (NAND), 8 Gbits (LPDDR4)
Point d'origine
China
Type de conditionnement
Bande et bobine (TR)
Application
Mémoire
Caractéristiques
Composants électroniques
Type de mémoire
-
Technologie
FLASH - NAND
Tension D'alimentation
-
Fréquence de l'horloge
2,133 GHz
Organisation de la mémoire
1 Go x 8 (NAND), 512 Mo x 16 (LPDDR4)
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
-
Interface mémoire
ONFI

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.100 kg

Délai de préparation de la commande

Description des produits par le fournisseur

Avertissement/Disclaimer
California Proposition 65 Avis aux consommateurs
2 000 - 4 999 pièce
5,74 €
>= 5 000 pièce
2,87 €

Spécification

MT29GZ6A6BPIET 046IT.112 TR

Expédition

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