Attributs
Composant et pièceType
NouveauCode Date de fabrication
1 KoTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Bande et bobine (TR)Type de conditionnement
MémoireApplication
Caractéristiques:Composant électronique
Type de mémoire:Non volatile
Technologie:EEPROM
Tension D'alimentation:1,8 V ~ 5,5 V
Fréquence de l'horloge:4 MHz
Organisation de la mémoire:128 x 8, 64 x 16
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:5 mètres
Interface mémoire:Microfil
