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DMN2030UCA4-7

Marque nom

Original

Description

MOSFET 2N-CH 20V 6.3A X4-DSN1111

Point d'origine

China

Package/Boîte

4-XFBGA, DSBGA

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
DMN2030UCA4-7
Marque nom
Original
Description
MOSFET 2N-CH 20V 6.3A X4-DSN1111
Point d'origine
China
Package/Boîte
4-XFBGA, DSBGA
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Série
-
Code date de fabrication
NEUF
Puissance Max
1W (Ta)
FET Caractéristique
-
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
20V
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
6,3 A (Ta)
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
32 mOhms à 1,7 A, 4,5 V
Vgs (th) (Max) @ Id
1,4 V à 160 µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
5,6 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
523pF à 10V
Configuration
2 N-Channel
Type de montage
Montage en Surface
Emballage
En vrac
Technologie
MOSFET (oxyde métallique)
Configuration
2 canaux N

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
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0.1 kg

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