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Référence fabricant

IXTY02N50D

Marque nom

Original

Description

MOSFET N-CH 500V 200MA TO252

Point d'origine

China

Package/Boîte

TO-252AA

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
IXTY02N50D
Marque nom
Original
Description
MOSFET N-CH 500V 200MA TO252
Point d'origine
China
Package/Boîte
TO-252AA
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Série
Dépauvrisement
Code date de fabrication
NEUF
FET Type
N-Channel, Depletion Mode
FET Caractéristique
-
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
500 V
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
200mA (Tc)
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
30 ohms à 50 mA, 0 V
Vgs (th) (Max) @ Id
-
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
-
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
120 pF @ 25 V
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
-
Vgs (Max)
±20V
Type de montage
Montage en Surface
Emballage
Tube
Type de FET
Canal N, mode de déplétion
Technologie
MOSFET (oxyde métallique)

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
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