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Composants électroniques en stock APTGF50DH60T1G SP1 Transistors

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Référence fabricant

APTGF50DH60T1G

Marque nom

Original

Description

MODULE IGBT 600V 65A 250W SP1

Point d'origine

China

Package/Boîte

SP1

Température de fonctionnement

-

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
APTGF50DH60T1G
Marque nom
Original
Description
MODULE IGBT 600V 65A 250W SP1
Point d'origine
China
Package/Boîte
SP1
Température de fonctionnement
-
Série
-
Code date de fabrication
NEUF
Collecteur de courant (Ic) (Max)
65 A
Tension de rupture collecteur-émetteur (max.)
600 V
Courant-coupure de collecteur (Max)
250 µA
Puissance Max
250 W
Type IGBT
NPT
Configuration
Asymétrique Pont
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce
2,2 nF à 25 V
Entrée
Standard
Thermistance NTC
Oui
Type de montage
Châssis Mount
Emballage
En vrac
Type d'IGBT
NPT
Configuration
Pont asymétrique
Courant - Collecteur (Ic) (Max)
65 A
Puissance - Max
250 W
Entrée
Norme

Emballage et livraison

vente Unités
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