Attributs
Composant et pièceType
NouveauCode Date de fabrication
256 GoTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Bande et bobine (TR)Type de conditionnement
MémoireApplication
Caractéristiques:Circuit intégré de puce de composant électronique IC
Type de mémoire:Non volatile
Technologie:FLASH - NAND (TLC)
Tension D'alimentation:2,7 V ~ 3,6 V
Fréquence de l'horloge:200 MHz
Organisation de la mémoire:32Gx8
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:-
Interface mémoire:eMMC_5.1
vente Unités:Article unique
seul paquet taille:1X1X1 cm
unique poids brut:0.100 kg
