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Composants électroniques en stock, mémoire KTDM4G3C618BGIEAT

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Code de date de fabrication

NEUF

Caractéristiques

Marque nom

Original

Référence fabricant

KTDM4G3C618BGIEAT

Type de montage

-

Taille de La mémoire

-

Point d'origine

China

Description

IC DRAM DDR3(L) 4GB 256MX16 1866

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Caractéristiques du produit

Marque nom
Original
Référence fabricant
KTDM4G3C618BGIEAT
Type de montage
-
Taille de La mémoire
-
Point d'origine
China
Description
IC DRAM DDR3(L) 4GB 256MX16 1866
Type de conditionnement
En vrac
Température de fonctionnement
-
Package/Boîte
-
Série
-
Type de mémoire
-
Technologie
-
Tension D'alimentation
-
Fréquence de l'horloge
-
Organisation de la mémoire
-
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
-
Interface mémoire
-
Format de mémoire
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vente Unités
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