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Composants électroniques en stock, transistors MDD50N06D TO-252

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Référence fabricant

MDD50N06D

Marque nom

Original

Description

MOSFET N 60V 50A TO-252

Point d'origine

China

Package/Boîte

TO-252

Température de fonctionnement

150°C (TJ)

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
MDD50N06D
Marque nom
Original
Description
MOSFET N 60V 50A TO-252
Point d'origine
China
Package/Boîte
TO-252
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Série
-
Code date de fabrication
NEUF
FET Type
N-Channel
FET Caractéristique
-
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
60 V
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
50A (Ta)
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
17 mOhms à 20 A, 10 V
Vgs (th) (Max) @ Id
2,5 V à 250 µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
40 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
1889 pF à 30 V
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
4,5 V, 10 V
Vgs (Max)
±20V
Type de montage
Montage en Surface
Emballage
Tape & Reel (TR)
Type de FET
Canal N
Technologie
MOSFET (oxyde métallique)

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.1 kg

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