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Composants électroniques en stock Transistors RJ1G12BGNTLL LPTL

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Caractéristiques

Référence fabricant

RJ1G12BGNTLL

Marque nom

Original

Description

MOSFET N-CH 40V 120A LPTL

Point d'origine

China

Package/Boîte

LPTL

Température de fonctionnement

150°C (TJ)

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
RJ1G12BGNTLL
Marque nom
Original
Description
MOSFET N-CH 40V 120A LPTL
Point d'origine
China
Package/Boîte
LPTL
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Série
-
Code date de fabrication
NEUF
FET Type
N-Channel
FET Caractéristique
-
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
40 V
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
120A (Tc)
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
1,86 mOhm à 50 A, 10 V
Vgs (th) (Max) @ Id
2,5 V à 2 mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
165 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
12 500 pF à 20 V
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
4,5 V, 10 V
Vgs (Max)
±20V
Type de montage
Montage en Surface
Emballage
Tape & Reel (TR), Cut Tape (CT), Digi-Reel
Type de FET
Canal N
Technologie
MOSFET (oxyde métallique)

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.1 kg

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