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Composants électroniques en stock TK50P03M1(T6RSS-Q) Transistors DPAK

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Caractéristiques

Référence fabricant

TK50P03M1(T6RSS-Q)

Marque nom

Original

Description

MOSFET N-CH 30V 50A DP

Point d'origine

China

Package/Boîte

DPAK

Température de fonctionnement

150°C (TJ)

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
TK50P03M1(T6RSS-Q)
Marque nom
Original
Description
MOSFET N-CH 30V 50A DP
Point d'origine
China
Package/Boîte
DPAK
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Série
U-MOSVI-H
Code date de fabrication
NEUF
FET Type
N-Channel
FET Caractéristique
-
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
30 V
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
50A (Ta)
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
7,5 mOhms à 25 A, 10 V
Vgs (th) (Max) @ Id
2,3 V à 200 µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
25,3 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
1700 pF @ 10 V
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
4,5 V, 10 V
Vgs (Max)
±20V
Type de montage
Montage en Surface
Emballage
Tape & Reel (TR), Cut Tape (CT), Digi-Reel
Type de FET
Canal N
Technologie
MOSFET (oxyde métallique)

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
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1X1X1 cm
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