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Composant électronique en stock Mémoire MT29C8G96MAAFBACKD-5 WT TR

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≥4 000 pièce

Code de date de fabrication

NEUF

Caractéristiques

Marque nom

Original

Référence fabricant

MT29C8G96MAAFBACKD-5 WT TR

Type de montage

Montage en surface

Taille de La mémoire

8 Gbit (NAND), 4 Gbit (LPDRAM)

Point d'origine

China

Description

Mémoire flash IC 8Gbit parallèle 200 MHz

Expédition

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Caractéristiques du produit

Marque nom
Original
Référence fabricant
MT29C8G96MAAFBACKD-5 WT TR
Type de montage
Montage en surface
Taille de La mémoire
8 Gbit (NAND), 4 Gbit (LPDRAM)
Point d'origine
China
Description
Mémoire flash IC 8Gbit parallèle 200 MHz
Type de conditionnement
Tape & Reel (TR)
Température de fonctionnement
-25°C ~ 85°C (TA)
Package/Boîte
-
Série
-
Type de mémoire
Non volatile, Volatile
Technologie
FLASH - NAND, LPDRAM mobile
Tension D'alimentation
1,7 V ~ 1,95 V
Fréquence de l'horloge
200 MHz
Organisation de la mémoire
512M x 16 (NAND), 128M x 32 (LPDRAM)
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
-
Interface mémoire
Parallèle
Format de mémoire
FLASH, RAM

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.1 kg

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Description des produits par le fournisseur

Avertissement/Disclaimer
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