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Composants électroniques en stock PJQ5435E-AU_R2_006A1 DFN5060-8 Transistors

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Référence fabricant

PJQ5435E-AU_R2_006A1

Marque nom

Original

Description

30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

Point d'origine

China

Package/Boîte

DFN5060-8

Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
PJQ5435E-AU_R2_006A1
Marque nom
Original
Description
30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Point d'origine
China
Package/Boîte
DFN5060-8
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Série
-
Code date de fabrication
NEUF
FET Type
P-Channel
FET Caractéristique
-
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
30 V
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
13,2 A (Ta), 47 A (Tc)
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
12,1 mOhms à 20 A, 10 V
Vgs (th) (Max) @ Id
2,5 V à 250 µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
34 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
1610 pF @ 25 V
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
4,5 V, 10 V
Vgs (Max)
±25V
Type de montage
Montage en Surface
Emballage
Tape & Reel (TR), Cut Tape (CT), Digi-Reel
Type de FET
P-Channel
Technologie
MOSFET (oxyde métallique)

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.1 kg

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