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Attributs
FRAM (RAM ferroélectrique)Technologie
Non volatileType de mémoire
32 000 x 8Organisation de la mémoire
Composant et pièceType
256 KoTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Type de conditionnement:Bande et bobine (TR)
Application:Mémoire
Caractéristiques:Composant électronique
Tension D'alimentation:2 V ~ 3,6 V
Fréquence de l'horloge:40 MHz
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:-
Interface mémoire:PI

5Chips Tech Limited
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Marchés principaux: Kazakhstan, Hong Kong (RAS), Danemark, États-Unis d'Amérique, Australie
Caractéristiques du produit
Technologie
FRAM (RAM ferroélectrique)
Type de mémoire
Non volatile
Organisation de la mémoire
32 000 x 8
Type
Composant et pièce
Taille de La mémoire
256 Ko
Point d'origine
China
Type de conditionnement
Bande et bobine (TR)
Application
Mémoire
Caractéristiques
Composant électronique
Tension D'alimentation
2 V ~ 3,6 V
Fréquence de l'horloge
40 MHz
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
-
Interface mémoire
PI
Emballage et livraison
vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.100 kg
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