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5Chips Tech Limited
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Attributs
FLASH - NANDTechnologie
Non volatileType de mémoire
256 millions x 8Organisation de la mémoire
Composant et pièceType
2 GoTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Type de conditionnement:Ruban et bobine (TR), ruban coupé (CT)
Application:Mémoire
Caractéristiques:Circuit intégré de puce de composant électronique IC
Tension D'alimentation:1,7 V ~ 1,95 V
Fréquence de l'horloge:-
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:-
Interface mémoire:Parallèle
Caractéristiques du produit
Technologie
FLASH - NAND
Type de mémoire
Non volatile
Organisation de la mémoire
256 millions x 8
Type
Composant et pièce
Application
Mémoire
Caractéristiques
Circuit intégré de puce de composant électronique IC
Fréquence de l'horloge
-
Point d'origine
China
Taille de La mémoire
2 Go
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
-
Tension D'alimentation
1,7 V ~ 1,95 V
Type de conditionnement
Ruban et bobine (TR), ruban coupé (CT)
Interface mémoire
Parallèle
Emballage et livraison
vente Unités
Article unique
paquet taille par lot
1X1X1 cm
poids brut par lot
0.100 kg
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MT29F2G08ABBEAHC : E TR
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