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Composants électroniques de puces mémoire 119 BGA 71T75802S200BG en stock

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Attributs

Composant et pièceType
NouveauCode Date de fabrication
18 MbitsTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
En vracType de conditionnement
MémoireApplication
Caractéristiques:Composant électronique
Type de mémoire:volatile
Technologie:SRAM - Synchrone, SDR (ZBT)
Tension D'alimentation:2,375 V ~ 2,625 V
Fréquence de l'horloge:200 MHz
Organisation de la mémoire:1M18
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:-
Interface mémoire:Parallèle

Caractéristiques du produit

Type
Composant et pièce
Code Date de fabrication
Nouveau
Taille de La mémoire
18 Mbits
Point d'origine
China
Type de conditionnement
En vrac
Application
Mémoire
Caractéristiques
Composant électronique
Type de mémoire
volatile
Technologie
SRAM - Synchrone, SDR (ZBT)
Tension D'alimentation
2,375 V ~ 2,625 V
Fréquence de l'horloge
200 MHz
Organisation de la mémoire
1M18
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
-
Interface mémoire
Parallèle

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.100 kg

Délai de préparation de la commande

Description des produits par le fournisseur

Avertissement/Disclaimer
California Proposition 65 Avis aux consommateurs
8 - 3007 pièce
16,21 €
>= 3008 pièce
8,11 €

Expédition

Frais de livraison et date de livraison à négocier. Contactez le fournisseur dès maintenant pour plus d’informations.

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