Composants électroniques en stock, mémoire 165 LBGA CY7C1318BV18-250BZC
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Attributs
Composant et pièceType
18 MbitsTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
PlateauType de conditionnement
MémoireApplication
Composant électroniqueCaractéristiques
Type de mémoire:volatile
Technologie:SRAM - Synchrone, DDR II
Tension D'alimentation:1,7 V ~ 1,9 V
Fréquence de l'horloge:250 MHz
Organisation de la mémoire:1M18
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:-
Interface mémoire:Parallèle
Caractéristiques du produit
Type
Composant et pièce
Taille de La mémoire
18 Mbits
Point d'origine
China
Type de conditionnement
Plateau
Application
Mémoire
Caractéristiques
Composant électronique
Type de mémoire
volatile
Technologie
SRAM - Synchrone, DDR II
Tension D'alimentation
1,7 V ~ 1,9 V
Fréquence de l'horloge
250 MHz
Organisation de la mémoire
1M18
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
-
Interface mémoire
Parallèle
Emballage et livraison
vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.100 kg
Délai de préparation de la commande
Description des produits par le fournisseur
Avertissement/Disclaimer
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7,71 €
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CY7C1318BV18 250BZC
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Composants électroniques en stock, mémoire 165 LBGA CY7C1318BV18-250BZC












