Mémoire en stock 200 TFBGA W66CP2NQQAGJ Acheter des composants électroniques en ligne
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Attributs
SDRAM - LPDDR4 mobileTechnologie
volatileType de mémoire
128 millions x 32Organisation de la mémoire
Composant et pièceType
4GbitsTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Type de conditionnement:Plateau
Application:Mémoire
Caractéristiques:Composants électroniques en ligne
Tension D'alimentation:1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V
Fréquence de l'horloge:1,867 GHz
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:18 ans
Interface mémoire:LVSTL11
Caractéristiques du produit
Technologie
SDRAM - LPDDR4 mobile
Type de mémoire
volatile
Organisation de la mémoire
128 millions x 32
Type
Composant et pièce
Taille de La mémoire
4Gbits
Point d'origine
China
Type de conditionnement
Plateau
Application
Mémoire
Caractéristiques
Composants électroniques en ligne
Tension D'alimentation
1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V
Fréquence de l'horloge
1,867 GHz
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
18 ans
Interface mémoire
LVSTL11
Emballage et livraison
vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.100 kg
Délai de préparation de la commande
Description des produits par le fournisseur
Avertissement/Disclaimer
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1,03 €
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