Mémoire en stock 32 TFSOP R1LP0108ESF-5SI # Composant électronique S1
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Attributs
SRAMTechnologie
volatileType de mémoire
128Kx8Organisation de la mémoire
Composant et pièceType
1 MbitTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Type de conditionnement:Ruban et bobine (TR), ruban coupé (CT)
Application:Mémoire
Caractéristiques:Circuit intégré
Tension D'alimentation:4,5 V ~ 5,5 V
Fréquence de l'horloge:-
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:55 secondes
Interface mémoire:Parallèle
Caractéristiques du produit
Technologie
SRAM
Type de mémoire
volatile
Organisation de la mémoire
128Kx8
Type
Composant et pièce
Application
Mémoire
Caractéristiques
Circuit intégré
Fréquence de l'horloge
-
Point d'origine
China
Taille de La mémoire
1 Mbit
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
55 secondes
Tension D'alimentation
4,5 V ~ 5,5 V
Type de conditionnement
Ruban et bobine (TR), ruban coupé (CT)
Interface mémoire
Parallèle
Emballage et livraison
vente Unités
Article unique
paquet taille par lot
1X1X1 cm
poids brut par lot
0.100 kg
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2,08 €
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1,50 €
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R1LP0108ESF5SI # S1S1S1S1S1S1S1S1S1S1S1S1S1S1S1S1S1S1S1S1S1S1S1S1S1S1S1S1S1S1S1S1S1S1S1S1S1S1S1S1S1S1S1S1S1S1S1S1S1S1S1S1S1S1S1S1S1S1S1S1S1S1S1S1S1S1S1S1S1S1S1S1S1S1S1S1S1S1S1S1S1S1S1S1S1S1S1S1S1S1S1S1S1S1S1S1S1S1S1S1S1S1S1S1S1S1S1S1S1S1S1S1S1S1S1S1S1S1S1S1S1S1S1S1S1S1S1S1
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