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Module de mémoire 40 DIP DS1258W-100 en stock # Acheter des composants électroniques en ligne

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7-8 pièce
15,26 €
≥9 pièce

Code de date de fabrication

NEUF

Caractéristiques

Marque nom

Original

Référence fabricant

DS1258W-100#

Type de montage

Traversant (Through Hole)

Taille de La mémoire

2Mbit

Point d'origine

China

Description

CI NVSRAM 2Mbit parallèle 40-EDIP

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Caractéristiques du produit

Technologie
NVSRAM (SRAM non volatile)
Type de mémoire
Non volatile
Organisation de la mémoire
128K x 16
Type de montage
Traversant (Through Hole)
Référence fabricant
DS1258W-100#
Marque nom
Original
Taille de La mémoire
2Mbit
Point d'origine
China
Description
CI NVSRAM 2Mbit parallèle 40-EDIP
Type de conditionnement
Boîte, Boîte
Température de fonctionnement
0°C ~ 70°C (TA)
Package/Boîte
Module 40-DIP (0,610", 15,495 mm)
Série
-
Tension D'alimentation
3V ~ 3.6V
Fréquence de l'horloge
-
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
100ns
Interface mémoire
Parallèle
Format de mémoire
NVSRAM

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.100 kg

Délai de préparation de la commande

Description des produits par le fournisseur

Avertissement/Disclaimer
California Proposition 65 Avis aux consommateurs