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Composant électronique en stock : mémoire 8 VDFN à contacts apparents MR25H10MDF

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Attributs

Composant et pièceType
NouveauCode Date de fabrication
1 MbitTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
PlateauType de conditionnement
MémoireApplication
Caractéristiques:Composants électroniques en ligne
Type de mémoire:Non volatile
Technologie:MRAM (RAM magnétronrésistif)
Tension D'alimentation:2,7 V ~ 3,6 V
Fréquence de l'horloge:40 MHz
Organisation de la mémoire:128Kx8
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:-
Interface mémoire:PI

Caractéristiques du produit

Type
Composant et pièce
Code Date de fabrication
Nouveau
Taille de La mémoire
1 Mbit
Point d'origine
China
Type de conditionnement
Plateau
Application
Mémoire
Caractéristiques
Composants électroniques en ligne
Type de mémoire
Non volatile
Technologie
MRAM (RAM magnétronrésistif)
Tension D'alimentation
2,7 V ~ 3,6 V
Fréquence de l'horloge
40 MHz
Organisation de la mémoire
128Kx8
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
-
Interface mémoire
PI

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.100 kg

Délai de préparation de la commande

Description des produits par le fournisseur

Avertissement/Disclaimer
California Proposition 65 Avis aux consommateurs
1 - 3000 pièce
5,37 €
>= 3001 pièce
2,69 €

Expédition

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