Mémoire en stock 8 WFDFN Exposed Pad 93C66BT-I/MNY Acheter des composants électroniques en ligne
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Attributs
Composant et pièceType
4 KoTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Bande et bobine (TR)Type de conditionnement
MémoireApplication
Circuits intégrés électroniquesCaractéristiques
Type de mémoire:Non volatile
Technologie:EEPROM
Tension D'alimentation:4,5 V ~ 5,5 V
Fréquence de l'horloge:2 MHz
Organisation de la mémoire:256 par 16
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:2 mètres
Interface mémoire:Microfil
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93C66BT J/MNY
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