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Référence fabricant

R6507KND3TL1

Marque nom

Original

Description

COMMUTATION À HAUTE VITESSE, NCH 650V 7

Point d'origine

China

Package/Boîte

TO-252

Température de fonctionnement

150°C (TJ)

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
R6507KND3TL1
Marque nom
Original
Description
COMMUTATION À HAUTE VITESSE, NCH 650V 7
Point d'origine
China
Package/Boîte
TO-252
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Série
-
Code date de fabrication
NEUF
FET Type
N-Channel
FET Caractéristique
-
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
650 V
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
7A (Tc)
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
665 mOhms à 2,4 A, 10 V
Vgs (th) (Max) @ Id
5V @ 200µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
14,5 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
470 pF @ 25 V
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
10V
Vgs (Max)
±20V
Type de montage
Montage en Surface
Emballage
Tape & Reel (TR), Cut Tape (CT), Digi-Reel
Type de FET
Canal N
Technologie
MOSFET (oxyde métallique)

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
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0.1 kg

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