In Stock SILICON CARBIDE POWER MOSFET 120 H2PAK-7 Transistors SCTH40N120G2V-7 Electronics Components Set
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Attributs
Montage en SurfaceType de montage
FETs, MOSFETsApplication fonctionnelle
SCTH40N120G2V-7Numéro de Type
ChinaPoint d'origine
OriginalMarque nom
H2PAK-7Package / Case
Description:SILICON CARBIDE POWER MOSFET 120
Package:Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT),Digi-Reel
FET Type:N-Channel
Technology:SiCFET (Silicon Carbide)
Caractéristiques du produit
Type de montage
Montage en Surface
Application fonctionnelle
FETs, MOSFETs
Numéro de Type
SCTH40N120G2V-7
Point d'origine
China
Marque nom
Original
Package / Case
H2PAK-7
Description
SILICON CARBIDE POWER MOSFET 120
Package
Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT),Digi-Reel
FET Type
N-Channel
Technology
SiCFET (Silicon Carbide)
Emballage et livraison
vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.100 kg
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Description des produits par le fournisseur
100 - 3 099 pièce
7,13 €
>= 3 100 pièce
3,57 €
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SCTH40N120G2V-7
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