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En stock TK17E80W,S1X TO-220 Transistors Composants électroniques de circuits

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Référence fabricant

TK17E80W,S1X

Marque nom

Original

Description

MOSFET canal N 800V 17A TO220

Point d'origine

China

Package/Boîte

TO-220

Température de fonctionnement

150°C

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
TK17E80W,S1X
Marque nom
Original
Description
MOSFET canal N 800V 17A TO220
Point d'origine
China
Package/Boîte
TO-220
Température de fonctionnement
150°C
Série
DTMOSIV
Code date de fabrication
NEUF
FET Type
N-Channel
FET Caractéristique
-
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
800 V
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
17A (Ta)
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
290 mOhms à 8,5 A, 10 V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 850µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
32 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
2050 pF à 300 V
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
10V
Vgs (Max)
±20V
Type de montage
À travers le trou
Emballage
Tube
Type de FET
Canal N
Technologie
MOSFET (oxyde métallique)

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
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1X1X1 cm
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