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Transistors 6-UFDFN à pad exposé PBSS4160PANP,115 en stock, Acheter des composants électroniques en ligne

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Référence fabricant

PBSS4160PANP,115

Marque nom

Original

Description

TRANS NPN/PNP 60V 1A 6HUSON

Point d'origine

China

Package/Boîte

6-UFDFN avec pad exposé

Température de fonctionnement

150°C (TJ)

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
PBSS4160PANP,115
Marque nom
Original
Description
TRANS NPN/PNP 60V 1A 6HUSON
Point d'origine
China
Package/Boîte
6-UFDFN avec pad exposé
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Série
-
Code date de fabrication
NEUF
Collecteur de courant (Ic) (Max)
1A
Tension de rupture collecteur-émetteur (max.)
60V
Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic
120 mV à 50 mA, 500 mA
Courant-coupure de collecteur (Max)
100 nA (ICBO)
Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce
150 à 500 mA, 2 V
Puissance Max
510mW
Transistor Type
1 NPN, 1 PNP
Type de montage
Montage en Surface
Emballage
Tape & Reel (TR), Cut Tape (CT), Digi-Reel
Type de transistor
1 NPN, 1 PNP
Courant - Collecteur (Ic) (Max)
1A
Tension - Rupture collecteur-émetteur
60V
Puissance - Max
510mW
Fréquence - Transition
175MHz

Emballage et livraison

vente Unités
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1X1X1 cm
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0.1 kg

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