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Transistors en stock DFN2020M-6 PMPB10R3XNX Composants électroniques

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100-3 099 pièce
0,1222 €
≥3 100 pièce

Quantité

Caractéristiques

Référence fabricant

PMPB10R3XNX

Marque nom

Original

Description

MOSFETs petit signal pour appareils portables

Point d'origine

China

Package/Boîte

DFN2020M-6

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Expédition

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
PMPB10R3XNX
Marque nom
Original
Description
MOSFETs petit signal pour appareils portables
Point d'origine
China
Package/Boîte
DFN2020M-6
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Série
-
Code date de fabrication
NEUF
FET Type
N-Channel
FET Caractéristique
-
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
30 V
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
8,9 A (Ta)
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
12,2 mOhms à 8,9 A, 4,5 V
Vgs (th) (Max) @ Id
900mV @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
9,9 nC @ 4,5 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
770 pF @ 15 V
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
1,8 V, 4,5 V
Vgs (Max)
±12V
Type de montage
Montage en Surface
Emballage
Tape & Reel (TR), Cut Tape (CT), Digi-Reel
Type de FET
Canal N
Technologie
MOSFET (oxyde métallique)

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.1 kg

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