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Transistors LDPAK RJK2006DPE-00 en stock # J3 Acheter des composants électroniques en ligne

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Référence fabricant

RJK2006DPE-00#J3

Marque nom

Original

Description

MOSFET N-CH 200V 40A 4LDPAK

Point d'origine

China

Package/Boîte

LDPAK

Température de fonctionnement

150°C (TJ)

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
RJK2006DPE-00#J3
Marque nom
Original
Description
MOSFET N-CH 200V 40A 4LDPAK
Point d'origine
China
Package/Boîte
LDPAK
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Série
-
Code date de fabrication
NEUF
FET Type
N-Channel
FET Caractéristique
-
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
200 V
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
40A (Ta)
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
59 mOhms à 20 A, 10 V
Vgs (th) (Max) @ Id
-
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
43 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
1800 pF @ 25 V
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
10V
Vgs (Max)
±30V
Type de montage
Montage en Surface
Emballage
Tape & Reel (TR)
Type de FET
Canal N
Technologie
MOSFET (oxyde métallique)

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
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