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IPT026N12NM6ATMA1

Marque nom

Original

Description

IPT026N12NM6ATMA1

Point d'origine

China

Package/Boîte

PG-HSOF-8-1

Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
IPT026N12NM6ATMA1
Marque nom
Original
Description
IPT026N12NM6ATMA1
Point d'origine
China
Package/Boîte
PG-HSOF-8-1
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Série
OptiMOS 6
Code date de fabrication
NEUF
FET Type
N-Channel
FET Caractéristique
-
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
120 V
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
23A (Ta), 224A (Tc)
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
2,6 mOhms à 115 A, 10 V
Vgs (th) (Max) @ Id
3,6 V à 169 µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
88 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
6500 pF @ 60 V
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
8V, 10V
Vgs (Max)
±20V
Type de montage
Montage en Surface
Emballage
Tape & Reel (TR), Cut Tape (CT), Digi-Reel
Type de FET
Canal N
Technologie
MOSFET (oxyde métallique)

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.1 kg

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