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Référence fabricant

SCT3160KW7TL

Marque nom

Original

Description

SICFET N-CH 1200V 17A TO263-7

Point d'origine

China

Package/Boîte

TO-263-7

Température de fonctionnement

175°C (TJ)

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
SCT3160KW7TL
Marque nom
Original
Description
SICFET N-CH 1200V 17A TO263-7
Point d'origine
China
Package/Boîte
TO-263-7
Température de fonctionnement
175°C (TJ)
Série
-
Code date de fabrication
NEUF
FET Type
N-Channel
FET Caractéristique
-
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
1200 V
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
17A (Tc)
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
208 mOhms à 5 A, 18 V
Vgs (th) (Max) @ Id
5,6 V à 2,5 mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
42 nC @ 18 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
398 pF @ 800 V
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
-
Vgs (Max)
+22V, -4V
Type de montage
Montage en Surface
Emballage
Tape & Reel (TR), Cut Tape (CT), Digi-Reel
Type de FET
Canal N
Technologie
SiCFET (carbure de silicium)

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.100 kg

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