Mémoire Flash SLC NAND de Grade Industriel 4 Go 512 Mo MT29F4G08ABADAH4-IT:D 3,3 V Température -40~85°C ° C ADAS Automotive MT29F4G08 NW164 NX164 NW146

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Shenzhen Chipworld Electronic Technology Co., Ltd.

5 ans

CN

Attributs

512 Mo x 8Technologie

Non volatileType de mémoire

4 GbitsInterface de mémoire

Montage en surfaceType de montage

Circuits intégrés (CI) MémoireType

MT29F4G08ABADAH4-IT:DRéférence fabricant

Marque nom:Original

Point d'origine:Standard

Description:CI FLASH 4GBIT PARALLÈLE 63VFBGA Mémoire Flash NAND CI 4Gbit Parallèle 63-VFBGA (9x11)

Type de conditionnement:63-VFGBA

Fonction:MT29F4G08

Application:CI FLASH 4GBIT PARALLÈLE 63VFBGA

Température de fonctionnement:-40°C ~ 85 ans°C (TA)

Package/Boîte:63-VFBGA (9x11)

Série:Circuits intégrés (CI) Mémoire NAND FLASH

Caractéristiques:Vérifié

Référence croisée:Non volatile

Chimie de la batterie:FLASH - NAND : Mémoire Flash - NAND

Tension D'alimentation:2,7 V ~ 3,6 V

Numéro de pièce:MT29F4G08ABADAH4-IT : D

Qualité:100% Original 100% Marque

Paiement:Paypal\TT\Western Union\Garantie commerciale

Expédition:DHL\FEDEX\UPS\TNT\EPACK\CHINA POST : DHL\FEDEX\UPS\TNT\EPACK\CHINA POST

Délai de livraison:1 à 7 jours ouvrables

Service:Service centralisé BOM

Produits en vedette

Mémoire flash SLC NAND: Assure une haute fiabilité et des vitesses d'écriture plus rapides, ce qui la rend adaptée aux applications exigeantes comme les systèmes ADAS automobiles.

Taille de mémoire de 4 Go: Fournit une capacité de stockage suffisante, permettant un traitement efficace de grands ensembles de données dans diverses applications industrielles et automobiles.

Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C: Assure des performances fiables dans des conditions de température extrêmes, ce qui le rend idéal pour l'utilisation dans des environnements industriels et automobiles difficiles.

Caractéristiques du produit

Technologie

512 Mo x 8

Type de mémoire

Non volatile

Interface de mémoire

4 Gbits

Type de montage

Montage en surface

Type

Circuits intégrés (CI) Mémoire

Référence fabricant

MT29F4G08ABADAH4-IT:D

Marque nom

Original

Point d'origine

Standard

Description

CI FLASH 4GBIT PARALLÈLE 63VFBGA Mémoire Flash NAND CI 4Gbit Parallèle 63-VFBGA (9x11)

Type de conditionnement

63-VFGBA

Fonction

MT29F4G08

Application

CI FLASH 4GBIT PARALLÈLE 63VFBGA

Température de fonctionnement

-40°C ~ 85 ans°C (TA)

Package/Boîte

63-VFBGA (9x11)

Série

Circuits intégrés (CI) Mémoire NAND FLASH

Caractéristiques

Vérifié

Référence croisée

Non volatile

Chimie de la batterie

FLASH - NAND : Mémoire Flash - NAND

Tension D'alimentation

2,7 V ~ 3,6 V

Numéro de pièce

MT29F4G08ABADAH4-IT : D

Qualité

100% Original 100% Marque

Paiement

Paypal\TT\Western Union\Garantie commerciale

Expédition

DHL\FEDEX\UPS\TNT\EPACK\CHINA POST : DHL\FEDEX\UPS\TNT\EPACK\CHINA POST

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