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Circuits intégrés, puce IC MOSFET N-CH 100V 23A/225A PPAK SIJH112E-T1-GE3 PowerPAK 8 x 8, distributeur agréé, canal N

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Numéro de Type

SIJH112E-T1-GE3

Type de montage

Montage en Surface

Point d'origine

China

Marque nom

Original

Application fonctionnelle

Canal N

Emballage

PowerPAK 8 x 8, Tape & Reel (TR), Ruban découpé (CT)

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Caractéristiques du produit

Numéro de Type
SIJH112E-T1-GE3
Type de montage
Montage en Surface
Point d'origine
China
Marque nom
Original
Application fonctionnelle
Canal N
Emballage
PowerPAK 8 x 8, Tape & Reel (TR), Ruban découpé (CT)
type4
FETs simples, MOSFETs
Description
MOSFET N-CH 100V 23A/225A PPAK
Type de FET
Canal N
Technologie
MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)
100 V
Courant - Drain continu (Id) @ 25°C
23A (Ta), 225A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2,8 mOhms à 20 A, 10 V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V à 250uA

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