Transistor MOSFET N-CH 55V 110A D2PAK TO-263 IRF3205S
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Attributs
MOSFETType
AmplificateurApplication
Montage en SurfaceType de paquet
À travers le trou, à travers le trouType de Support
Carbure de silicium (SiC)FET Caractéristique
SIMPLEConfiguration
Numéro de Type:IRF3205STRLPBF
Marque nom:Original
Description:MOSFET TO-263 canal N 55V 110A
Point d'origine:Guangdong, China
Package/Boîte:À-263
Température de fonctionnement:STANDARD
Série:STANDARD
d/c:-
Type de Fournisseur:ODM
Référence croisée:NJW 0302 NJW 0281
Médias Disponibles:Fiche technique, Photo
Résistance-socle (R1):-
Résistance-socle émetteur (R2):-
FET Type:-
Vidange à la tension de la Source (Vdss):-
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c:-
Rds sur (Max) @ Id, Vgs:-
Vgs (th) (Max) @ Id:-
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs:-
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:-
Fréquence:-
Courant nominal (ampères):-
Facteur de bruit:-
Alimentation-Sortie:-
Tension Nominale:-
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé):-
Vgs (Max):-
Type IGBT:-
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic:-
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce:-
Entrée:-
Thermistance NTC:-
Tension-panne (V (BR) GSS):-
Courant-vidange (Idss) @ Vds (Vgs = 0):-
Vidange de courant (Id)-Max:-
Tension-coupure (VGS off) @ Id:-
Résistance-RDS (On):-
Tension-Sortie:-
Tension-décalage (Vt):-
Courant-porte à la fuite d'anode (Igao):-
Courant-vallée (Iv):-
Courant-Crête:-
Type de montage:Montage en Surface
Numéro de pièce:Poutre IRF3205STRLPBF
Service:Service BOM centralisé
Délai de livraison:Dans les 3 jours
Caractéristiques du produit
Type
MOSFET
Application
Amplificateur
Type de paquet
Montage en Surface
Type de Support
À travers le trou, à travers le trou
FET Caractéristique
Carbure de silicium (SiC)
Configuration
SIMPLE
Médias Disponibles
Fiche technique, Photo
Type de Fournisseur
ODM
Package/Boîte
À-263
Description
MOSFET TO-263 canal N 55V 110A
Alimentation-Sortie
-
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce
-
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
-
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
-
Courant nominal (ampères)
-
Courant-Crête
-
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
-
Courant-porte à la fuite d'anode (Igao)
-
Courant-vallée (Iv)
-
Courant-vidange (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
-
Entrée
-
FET Type
-
Facteur de bruit
-
Fréquence
-
Marque nom
Original
Numéro de Type
IRF3205STRLPBF
Point d'origine
Guangdong, China
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
-
Référence croisée
NJW 0302 NJW 0281
Résistance-RDS (On)
-
Résistance-socle (R1)
-
Résistance-socle émetteur (R2)
-
Série
STANDARD
Température de fonctionnement
STANDARD
Tension Nominale
-
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
-
Tension-Sortie
-
Tension-coupure (VGS off) @ Id
-
Tension-décalage (Vt)
-
Tension-panne (V (BR) GSS)
-
Thermistance NTC
-
Type IGBT
-
Type de montage
Montage en Surface
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic
-
Vgs (Max)
-
Vgs (th) (Max) @ Id
-
Vidange de courant (Id)-Max
-
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
-
d/c
-
Numéro de pièce
Poutre IRF3205STRLPBF
Service
Service BOM centralisé
Délai de livraison
Dans les 3 jours
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