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Jeking Electronic Limited
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Modules IGBT d'onduleur triphasé Jeking 1200 V 200 A, module IGBT 3 niveaux F3L200R12W2H3-B11

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52,55-60,38 €
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Caractéristiques

Référence fabricant

ICPB1005-1-110I

Type

MOSFET

Marque nom

original brand

Type de paquet

-

Description

transistor

Point d'origine

Guangdong,China

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
ICPB1005-1-110I
Type
MOSFET
Marque nom
original brand
Type de paquet
-
Description
transistor
Point d'origine
Guangdong,China
Package/Boîte
-
Température de fonctionnement
- 40 C, + 150 C
Série
F3L200R12W2H3-B11
Code date de fabrication
2505
Application
-
Type de Fournisseur
Agence, ODM, Fabricant original
Référence croisée
-
Médias Disponibles
Photo, Fiche technique
Collecteur de courant (Ic) (Max)
-
Tension de rupture collecteur-émetteur (max.)
-
Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic
-
Courant-coupure de collecteur (Max)
-
Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce
-
Puissance Max
-
Fréquence-Transition
-
Résistance-socle (R1)
-
Résistance-socle émetteur (R2)
-
FET Type
-
FET Caractéristique
Standard
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
-
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
-
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
-
Vgs (th) (Max) @ Id
-
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
-
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
-
Fréquence
-
Courant nominal (ampères)
-
Facteur de bruit
-
Alimentation-Sortie
-
Tension Nominale
-
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
-
Vgs (Max)
-
Type IGBT
Modules IGBT
Configuration
-
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic
-
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce
-
Entrée
-
Thermistance NTC
-
Tension-panne (V (BR) GSS)
-
Courant-vidange (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
-
Vidange de courant (Id)-Max
-
Tension-coupure (VGS off) @ Id
-
Résistance-RDS (On)
-
Tension-Sortie
-
Tension-décalage (Vt)
-
Courant-porte à la fuite d'anode (Igao)
-
Courant-vallée (Iv)
-
Courant-Crête
-
Transistor Type
Modules IGBT
Type de montage
-
Numéro de pièce :
F3L200R12W2H3-B11
Produit :
Modules IGBT en silicium
Configuration :
Onduleur triphasé
Tension collecteur-émetteur VCEO Max :
1,2 kV
Tension de saturation collecteur-émetteur :
1,55 V
Courant collecteur continu à 25 °C :
200 A
Courant de fuite grille-émetteur :
100 nA
Pd - Dissipation de puissance :
600 W

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vente Unités
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