find similar
Jeking Electronic Limited logo
Jeking Electronic Limited
HK1 an
5/5(4)
Note de la boutique
≤1h
Temps de réponse
≥100%
Taux de livraison dans les délais
42%
Taux de réachat

Marchés principaux: Turquie (Türkiye), Lituanie, Brésil, Inde, États-Unis d'Amérique

Vérification des fournisseursGénérer un rapport

Transistor en silicium encapsulé dans du plastique Jeking B647 PNP 2SB647

Aucun avis pour l'instant
6,04 €
10-999 pièce
5,41 €
≥1 000 pièce

Quantité

Caractéristiques

Référence fabricant

2SB647

Type

MOSFET

Marque nom

original brand

Type de paquet

-

Description

transistor

Point d'origine

Guangdong,China

Shipping
Select shipping
Sous-total de l'article
0,00 €
Montant des frais de port
À négocier
Sous-total
0,00 €

Protection des commandes Alibaba.com

Paiements sécurisés

Paiement sécurisé par un cryptage SSL strict et PCI DSS

Protection de remboursement

Demandez un remboursement si votre commande n'est pas expédiée, est introuvable ou arrive avec des problèmes liés au produit

Seules les commandes passées et payées via Alibaba.com sont protégées gratuitement par

Paiement & Financement

Payez en 4X sans frais avec

Caractéristiques du produit

Référence fabricant
2SB647
Type
MOSFET
Marque nom
original brand
Type de paquet
-
Description
transistor
Point d'origine
Guangdong,China
Package/Boîte
-
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Série
-
Code date de fabrication
2505
Application
Électronique
Type de Fournisseur
Fabricant original, ODM, Agence, Détaillant
Médias Disponibles
Fiche technique, Photo
Collecteur de courant (Ic) (Max)
-
Tension de rupture collecteur-émetteur (max.)
-
Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic
-,1V à 50mA,500mA
Courant-coupure de collecteur (Max)
-, 10uA (ICBO)
Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce
-,60 à 150 mA, 5 V
Puissance Max
-, 900mW
Fréquence-Transition
-, 140MHz
Résistance-socle (R1)
-
Résistance-socle émetteur (R2)
-
FET Type
-
FET Caractéristique
-
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
-
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
-
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
-
Vgs (th) (Max) @ Id
-
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
-
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
-
Fréquence
-
Courant nominal (ampères)
-
Facteur de bruit
-
Alimentation-Sortie
-
Tension Nominale
-
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
-
Vgs (Max)
-
Type IGBT
-
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic
-
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce
-
Entrée
-
Thermistance NTC
-
Tension-panne (V (BR) GSS)
-
Courant-vidange (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
-
Vidange de courant (Id)-Max
-
Tension-coupure (VGS off) @ Id
-
Résistance-RDS (On)
-
Tension-Sortie
-
Tension-décalage (Vt)
-
Courant-porte à la fuite d'anode (Igao)
-
Courant-vallée (Iv)
-
Courant-Crête
-
Transistor Type
-
Type de montage
SMD/SMT, montage traversant
Numéro de pièce
2SB647
Tension - collecteur-émetteur
100V
Emballage/Boîtier
TO-92MOD

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique

Délai de préparation de la commande

Description des produits par le fournisseur

Signaler une activité suspecte
Avertissement/Disclaimer
California Proposition 65 Avis aux consommateurs