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Transistor PNP Jeking BA 2SA1015

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MOSFET, Transistor

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
2SA1015
Type
MOSFET, Transistor
Marque nom
original brand
Type de paquet
-
Description
transistor
Point d'origine
Guangdong,China
Package/Boîte
-, SOT-23
Code date de fabrication
2505
Application
Électronique
Type de Fournisseur
Fabricant original, ODM, Agence, Détaillant
Médias Disponibles
Fiche technique, Photo
Collecteur de courant (Ic) (Max)
-
Tension de rupture collecteur-émetteur (max.)
-
Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic
-
Courant-coupure de collecteur (Max)
-
Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce
-
Puissance Max
-
Fréquence-Transition
-
Résistance-socle (R1)
-
Résistance-socle émetteur (R2)
-
FET Type
-
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
-
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
-
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
-
Vgs (th) (Max) @ Id
-
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
-
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
-
Fréquence
-
Courant nominal (ampères)
-
Facteur de bruit
-
Alimentation-Sortie
-
Tension Nominale
-
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
-
Vgs (Max)
-
Type IGBT
-
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic
-
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce
-
Entrée
-
Thermistance NTC
-
Tension-panne (V (BR) GSS)
-
Courant-vidange (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
-
Vidange de courant (Id)-Max
-
Tension-coupure (VGS off) @ Id
-
Résistance-RDS (On)
-
Tension-Sortie
-
Tension-décalage (Vt)
-
Courant-porte à la fuite d'anode (Igao)
-
Courant-vallée (Iv)
-
Courant-Crête
-
Type de montage
À travers le trou
Numéro de pièce
2SA1015
Nom du produit
2SA1015
Mot-clé du produit
2SA1015
Article
2SA1015
Mode d'expédition
DHL FEDEX UPS EMS TNT
Paiement
Paypal\TT\Western Union\Assurance commerciale
Fiche technique
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vente Unités
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Avertissement/Disclaimer
California Proposition 65 Avis aux consommateurs