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Composants électroniques Jeking TRANS SMD SOT-89 B772 2SB772

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Caractéristiques

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2SB772

Type

MOSFET

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original brand

Type de paquet

Montage en Surface

Description

transistor

Point d'origine

Guangdong, China

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
2SB772
Type
MOSFET
Marque nom
original brand
Type de paquet
Montage en Surface
Description
transistor
Point d'origine
Guangdong, China
Package/Boîte
TO-220-3
Code date de fabrication
2505
Application
-
Collecteur de courant (Ic) (Max)
3A
Tension de rupture collecteur-émetteur (max.)
30V
Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic
1,1 V à 150 mA, 3 A
Courant-coupure de collecteur (Max)
100 µA
Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce
100 à 100 mA, 2 V
Puissance Max
12,5 W
Fréquence-Transition
100MHz
Résistance-socle (R1)
-
Résistance-socle émetteur (R2)
-
FET Type
-
FET Caractéristique
-
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
-
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
-
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
-
Vgs (th) (Max) @ Id
-
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
-
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
-
Fréquence
-
Courant nominal (ampères)
-
Facteur de bruit
-
Alimentation-Sortie
-
Tension Nominale
-
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
-
Vgs (Max)
-
Type IGBT
-
Configuration
-
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic
-
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce
-
Entrée
-
Thermistance NTC
-
Tension-panne (V (BR) GSS)
-
Courant-vidange (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
-
Vidange de courant (Id)-Max
-
Tension-coupure (VGS off) @ Id
-
Résistance-RDS (On)
-
Tension-Sortie
-
Tension-décalage (Vt)
-
Courant-porte à la fuite d'anode (Igao)
-
Courant-vallée (Iv)
-
Courant-Crête
-
Numéro de pièce
2SB772
Boîtier du fournisseur
SOT-89
Marquage
B772
Type
Transistor
Mots-clés
2SB772, 2SB772
Numéro de modèle
2SB772
Description
Composants Électroniques TRANS CMS SOT-89 B772 2SB772
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