find similar
5/5(4)
Note de la boutique
≤1h
Temps de réponse
≥100%
Taux de livraison dans les délais
42%
Taux de réachat

Marchés principaux: Turquie (Türkiye), Lituanie, Brésil, Inde, États-Unis d'Amérique

Module transistor IGBT Jeking IXGN200N 600V 200A IXGN200N60A2

Aucun avis pour l'instant
38,95 €
10-999 pièce
31,71 €
≥1 000 pièce
Spécification
Personnalisation
Emballage (Quantité min. : 99 999 pièces)

Caractéristiques

Référence fabricant

IXGN200N60A2

Type

MOSFET

Marque nom

original brand

Type de paquet

-

Description

transistor

Point d'origine

Guangdong,China

Shipping
Select shipping

Protection des commandes Alibaba.com

Paiements sécurisés

Paiement sécurisé par un cryptage SSL strict et PCI DSS

Protection de remboursement

Demandez un remboursement si votre commande n'est pas expédiée, est introuvable ou arrive avec des problèmes liés au produit

Paiement & Financement

Payez en 4X sans frais avec

Caractéristiques du produit

Référence fabricant
IXGN200N60A2
Type
MOSFET
Marque nom
original brand
Type de paquet
-
Description
transistor
Point d'origine
Guangdong,China
Package/Boîte
-, SOT-227-4
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Code date de fabrication
2505
Application
-
Type de Fournisseur
Fabricant original, ODM, Agence, Détaillant, Autre
Médias Disponibles
Fiche technique, Photo, Modèles EDA/cao, Autre
Collecteur de courant (Ic) (Max)
-
Tension de rupture collecteur-émetteur (max.)
-
Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic
-
Courant-coupure de collecteur (Max)
-, 50uA
Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce
-
Puissance Max
-
Fréquence-Transition
-
Résistance-socle (R1)
-
Résistance-socle émetteur (R2)
-
FET Type
-
FET Caractéristique
-
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
-
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
-
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
-
Vgs (th) (Max) @ Id
-
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
-
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
-,9,9 pF à 25 V
Fréquence
-
Courant nominal (ampères)
-
Facteur de bruit
-
Alimentation-Sortie
-
Tension Nominale
-
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
-
Vgs (Max)
-
Type IGBT
-
Configuration
-
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic
-,1,35 V à 15 V, 100 A
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce
-
Entrée
-,Standard
Thermistance NTC
-,Non
Tension-panne (V (BR) GSS)
-
Courant-vidange (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
-
Vidange de courant (Id)-Max
-
Tension-coupure (VGS off) @ Id
-
Résistance-RDS (On)
-
Tension-Sortie
-
Tension-décalage (Vt)
--
Courant-porte à la fuite d'anode (Igao)
-
Courant-vallée (Iv)
-
Courant-Crête
-
Type de montage
traversant, montage sur châssis
Numéro de pièce
IXGN200N60A2
Puissance maximale
700 W

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique

Délai de préparation de la commande

Options de personnalisation

Emballage(+ à partir de /Commande minimale : 99 999 pièces)
Afficher les détails

Description des produits par le fournisseur

Avertissement/Disclaimer
California Proposition 65 Avis aux consommateurs