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Transistor de puissance MOSFET complémentaire J122G MJD122 8A 20W 4MHz à montage en surface

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9,95-13,57 €
Quantité minimale : 10 pièce

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Caractéristiques

Référence fabricant

ICPB1005-1-110I

Type

MOSFET

Marque nom

original brand

Description

transistor

Point d'origine

Guangdong,China

Package/Boîte

TO-220, TO-252-3

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
ICPB1005-1-110I
Type
MOSFET
Marque nom
original brand
Description
transistor
Point d'origine
Guangdong,China
Package/Boîte
TO-220, TO-252-3
Température de fonctionnement
-65°C ~ 150°C (TJ)
Collecteur de courant (Ic) (Max)
8 A
Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic
4V @ 80mA,8A
Courant-coupure de collecteur (Max)
10uA
Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce
1000 à 4A,4V
Puissance Max
20 W
Fréquence-Transition
4MHz
Transistor Type
Darlington complémentaire
Type de montage
Montage en Surface
Numéro de pièce
MJD122

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique

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Description des produits par le fournisseur

Avertissement/Disclaimer
California Proposition 65 Avis aux consommateurs