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Transistor MOSFET Jeking KG N-Channel 30V (D-S) SI1308EDL-T1-GE3

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17,15 €
10-999 pièce
13,54 €
≥1 000 pièce
Spécification

Caractéristiques

Référence fabricant

SI1308EDL-T1-GE3

Type

MOSFET

Marque nom

original brand

Type de paquet

Montage en Surface

Description

transistor

Point d'origine

Guangdong,China

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
SI1308EDL-T1-GE3
Type
MOSFET
Marque nom
original brand
Type de paquet
Montage en Surface
Description
transistor
Point d'origine
Guangdong,China
Package/Boîte
-, SC-70-3
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Série
SI1308EDL-T1-GE3
Code date de fabrication
2505
Application
various
Type de Fournisseur
Fabricant original, ODM, Agence, Détaillant, Other
Référence croisée
-
Médias Disponibles
Fiche technique, Photo, Modèles EDA/cao, Other
Collecteur de courant (Ic) (Max)
-
Tension de rupture collecteur-émetteur (max.)
-
Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic
-
Courant-coupure de collecteur (Max)
-
Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce
-
Puissance Max
-
Fréquence-Transition
-
Résistance-socle (R1)
-
Résistance-socle émetteur (R2)
-
FET Type
-
FET Caractéristique
Standard
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
-
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
-
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
-,132mOhm @ 1.4A,10V
Vgs (th) (Max) @ Id
-,1.5V @ 250uA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
-,4.1 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
-,105 pF @ 15 V
Fréquence
-
Courant nominal (ampères)
-
Facteur de bruit
-
Alimentation-Sortie
-
Tension Nominale
-
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
-
Vgs (Max)
-,±12V
Type IGBT
-
Configuration
-
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic
-
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce
-
Entrée
-
Thermistance NTC
-
Tension-panne (V (BR) GSS)
-
Courant-vidange (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
-
Vidange de courant (Id)-Max
-
Tension-coupure (VGS off) @ Id
-
Résistance-RDS (On)
-
Tension-Sortie
-
Tension-décalage (Vt)
--
Courant-porte à la fuite d'anode (Igao)
-
Courant-vallée (Iv)
-
Courant-Crête
-
Type de montage
SMD/SMT,Surface Mount
Part Number
SI1308EDL-T1-GE3
Power Dissipation (Max)
400mW (Ta),500mW (Tc)

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique

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