find similar
5/5(4)
Note de la boutique
≤1h
Temps de réponse
≥100%
Taux de livraison dans les délais
46%
Taux de réachat

Marchés principaux: Turquie (Türkiye), Lituanie, Brésil, Inde, États-Unis d'Amérique

Jeking P-Channel 30 V 50A Tc 2.5W Ta 125W Tc Surface Mount D2PAK MOSFET MTB50P03HDLT4G

Aucun avis pour l'instant
4,49 €
100-499 pièce
4,13 €
500-999 pièce
3,95 €
≥1 000 pièce
Spécification
Personnalisation
Emballage (Quantité min. : 99 999 pièces)

Caractéristiques

Référence fabricant

MTB50P03HDLT4G

Type

MOSFET

Marque nom

original brand

Type de paquet

Montage en Surface

Description

transistor

Point d'origine

Guangdong,China

Shipping
Select shipping

Protection des commandes Alibaba.com

Paiements sécurisés

Paiement sécurisé par un cryptage SSL strict et PCI DSS

Protection de remboursement

Demandez un remboursement si votre commande n'est pas expédiée, est introuvable ou arrive avec des problèmes liés au produit

Paiement & Financement

Payez en 4X sans frais avec

Caractéristiques du produit

Référence fabricant
MTB50P03HDLT4G
Type
MOSFET
Marque nom
original brand
Type de paquet
Montage en Surface
Description
transistor
Point d'origine
Guangdong,China
Package/Boîte
-
Code date de fabrication
2505
Application
Électronique
Type de Fournisseur
Fabricant original, ODM, Agence, Détaillant
Référence croisée
-
Médias Disponibles
Fiche technique, Photo
Collecteur de courant (Ic) (Max)
-
Tension de rupture collecteur-émetteur (max.)
-
Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic
-
Courant-coupure de collecteur (Max)
-
Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce
-
Puissance Max
-
Fréquence-Transition
-
Résistance-socle (R1)
-
Résistance-socle émetteur (R2)
-
FET Type
-, P-Channel
FET Caractéristique
Standard
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
30 V,30 V
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
50 A
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
-
Vgs (th) (Max) @ Id
-
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
74 nC,100 nC 5 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
-,4900 pF à 25 V
Fréquence
-
Courant nominal (ampères)
-
Facteur de bruit
-
Alimentation-Sortie
-
Tension Nominale
-
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
-,5V
Vgs (Max)
-,15V
Type IGBT
-
Configuration
-
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic
-
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce
-
Entrée
-
Thermistance NTC
-
Tension-panne (V (BR) GSS)
-
Courant-vidange (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
-
Vidange de courant (Id)-Max
-
Tension-coupure (VGS off) @ Id
-
Résistance-RDS (On)
25 mOhms
Tension-Sortie
-
Tension-décalage (Vt)
-
Courant-porte à la fuite d'anode (Igao)
-
Courant-vallée (Iv)
-
Courant-Crête
-
Type de montage
SMD/SMT,SMD
Numéro de modèle
MTB50P03HDLT4G
Courant - Drain continu (Id) 25°C
50A (Tc)
Rds On (Max) Id, Vgs
25 mΩ 25 A, 5 V

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique

Délai de préparation de la commande

Options de personnalisation

Emballage(+ à partir de /Commande minimale : 99 999 pièces)
Afficher les détails

Description des produits par le fournisseur

Avertissement/Disclaimer
California Proposition 65 Avis aux consommateurs