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Mémoire mobile K3KL9L90QM-MHCT LPDDR4X DRAM 16 Go 1,2 V 200-BGA pour smartphone

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Quantité minimale : 1 pièce

Spécification

standard

Code de date de fabrication

25+

Caractéristiques

Marque nom

Original

Référence fabricant

K3KL9L90QM-MHCT

Type de montage

Composants électroniques de circuits intégrés

Point d'origine

Guangdong, China

Description

circuit intégré d'origine

Application

circuit intégré d'origine

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Marque nom
Original
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K3KL9L90QM-MHCT
Type de montage
Composants électroniques de circuits intégrés
Point d'origine
Guangdong, China
Description
circuit intégré d'origine
Application
circuit intégré d'origine
Série
circuit intégré d'origine
Code de date de fabrication
standard

Emballage et livraison

vente Unités
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10X10X10 cm
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