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Transistors IGBT LYPM2337S1P JSRI en carbure de silicium à montage en surface, nouveaux circuits intégrés originaux, composants électroniques fabriqués

Note de la boutique :4.6
(323 avis)
Story Enterprise Limited
3 ans
HK

Attributs

Transistor IGBTType
Interrupteur d'alimentation CircuitsApplication
Montage en SurfaceType de paquet
Montage en SurfaceType de montage
Carbure de silicium (SiC)FET Caractéristique
Pont completConfiguration
Référence fabricant:LYPM2337S1P
Marque nom:JSRI
Description:P communique avec les transistors à effet de champ MOS
Point d'origine:China
Package/Boîte:SOT-23
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150 ans°C'est
Série:LYP2337S1P
Code date de fabrication:0,76 W
Type de Fournisseur:Agence
Référence croisée:LYP2337S1P
Médias Disponibles:Fiche technique
Collecteur de courant (Ic) (Max):LYP2337S1P
Tension de rupture collecteur-émetteur (max.):LYP2337S1P
Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic:LYP2337S1P
Courant-coupure de collecteur (Max):LYP2337S1P
Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce:LYP2337S1P
Puissance Max:LYP2337S1P
Fréquence-Transition:LYP2337S1P
Résistance-socle (R1):LYP2337S1P
Résistance-socle émetteur (R2):LYP2337S1P
FET Type:LYP2337S1P
Vidange à la tension de la Source (Vdss):LYP2337S1P
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c:LYP2337S1P
Rds sur (Max) @ Id, Vgs:LYP2337S1P
Vgs (th) (Max) @ Id:LYP2337S1P
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs:LYP2337S1P
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:LYP2337S1P
Fréquence:LYP2337S1P
Courant nominal (ampères):LYP2337S1P
Facteur de bruit:LYP2337S1P
Alimentation-Sortie:LYP2337S1P
Tension Nominale:LYP2337S1P
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé):LYP2337S1P
Vgs (Max):LYP2337S1P
Type IGBT:LYP2337S1P
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic:LYP2337S1P
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce:LYP2337S1P
Entrée:LYP2337S1P
Thermistance NTC:LYP2337S1P
Tension-panne (V (BR) GSS):LYP2337S1P
Courant-vidange (Idss) @ Vds (Vgs = 0):LYP2337S1P
Vidange de courant (Id)-Max:LYP2337S1P
Tension-coupure (VGS off) @ Id:LYP2337S1P
Résistance-RDS (On):LYP2337S1P
Tension-Sortie:LYP2337S1P
Tension-décalage (Vt):LYP2337S1P
Courant-porte à la fuite d'anode (Igao):LYP2337S1P
Courant-vallée (Iv):LYP2337S1P
Courant-Crête:LYP2337S1P
Transistor Type:LYP2337S1P
circuits intégrés:LYP2337S1P
Paiement:Paypal\TT\Western Union\Garantie commerciale
Nom du produit:DC abaisseur
Paquet:Emballages d'origine
Numéro de pièce:puce IC
État:Original à 100%
Qualité:100% Original 100% Marque
Service:Service BOM centralisé
Expédition PAR:DHL\UPS\Fedex\EMS\HK Poste
Marque:Din-Tek Semi-conducteur
Température de fonctionnement:LYP2337S1P
Description:LYP2337S1P
Tension:LYP2337S1P
Applications:LYP2337S1P
Type de texte:transistors

Caractéristiques du produit

Type
Transistor IGBT
Application
Interrupteur d'alimentation Circuits
Type de paquet
Montage en Surface
Type de montage
Montage en Surface
FET Caractéristique
Carbure de silicium (SiC)
Configuration
Pont complet
Médias Disponibles
Fiche technique
Type de Fournisseur
Agence
Puissance Max
LYP2337S1P
Package/Boîte
SOT-23
Description
P communique avec les transistors à effet de champ MOS
Référence fabricant
LYPM2337S1P
Marque nom
JSRI
Point d'origine
China
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150 ans°C'est
Série
LYP2337S1P
Code date de fabrication
0,76 W
Référence croisée
LYP2337S1P
Collecteur de courant (Ic) (Max)
LYP2337S1P
Tension de rupture collecteur-émetteur (max.)
LYP2337S1P
Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic
LYP2337S1P
Courant-coupure de collecteur (Max)
LYP2337S1P
Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce
LYP2337S1P
Fréquence-Transition
LYP2337S1P
Résistance-socle (R1)
LYP2337S1P
Résistance-socle émetteur (R2)
LYP2337S1P
FET Type
LYP2337S1P
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
LYP2337S1P
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
LYP2337S1P
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
LYP2337S1P
Vgs (th) (Max) @ Id
LYP2337S1P
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
LYP2337S1P
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
LYP2337S1P
Fréquence
LYP2337S1P
Courant nominal (ampères)
LYP2337S1P
Facteur de bruit
LYP2337S1P
Alimentation-Sortie
LYP2337S1P
Tension Nominale
LYP2337S1P
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
LYP2337S1P
Vgs (Max)
LYP2337S1P
Type IGBT
LYP2337S1P
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic
LYP2337S1P
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce
LYP2337S1P
Entrée
LYP2337S1P
Thermistance NTC
LYP2337S1P
Tension-panne (V (BR) GSS)
LYP2337S1P
Courant-vidange (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
LYP2337S1P
Vidange de courant (Id)-Max
LYP2337S1P
Tension-coupure (VGS off) @ Id
LYP2337S1P
Résistance-RDS (On)
LYP2337S1P
Tension-Sortie
LYP2337S1P
Tension-décalage (Vt)
LYP2337S1P
Courant-porte à la fuite d'anode (Igao)
LYP2337S1P
Courant-vallée (Iv)
LYP2337S1P
Courant-Crête
LYP2337S1P
Transistor Type
LYP2337S1P
Type de montage
Montage en surface
circuits intégrés
LYP2337S1P
Paiement
Paypal\TT\Western Union\Garantie commerciale
Nom du produit
DC abaisseur
Paquet
Emballages d'origine
Numéro de pièce
puce IC
État
Original à 100%
Qualité
100% Original 100% Marque
Service
Service BOM centralisé
Expédition PAR
DHL\UPS\Fedex\EMS\HK Poste
Marque
Din-Tek Semi-conducteur
Température de fonctionnement
LYP2337S1P
Description
LYP2337S1P
Tension
LYP2337S1P
Applications
LYP2337S1P
Type de texte
transistors

Emballage et livraison

vente Unités
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seul paquet taille
100X100X100 cm
unique poids brut
0.030 kg

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Pattem(+ à partir de /Commande minimale : 2 000 pièces)
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LYP2337S1P

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