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Transistors IGBT LYPM2337S1P JSRI en carbure de silicium à montage en surface pour circuits de commutation de puissance CC abaisseurs – Nouveaux circuits électroniques originaux

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Spécification

LYPM2337S1P

Caractéristiques

Référence fabricant

LYPM2337S1P

Type

Transistor IGBT

Marque nom

JSRI

Type de paquet

Montage en Surface

Description

P communicates MOS field effect transistors

Point d'origine

China

Expédition

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
LYPM2337S1P
Type
Transistor IGBT
Marque nom
JSRI
Type de paquet
Montage en Surface
Description
P communicates MOS field effect transistors
Point d'origine
China
Package/Boîte
SOT23
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C
Série
LYPM2337S1P
Code date de fabrication
0.76W
Application
Interrupteur d'alimentation Circuits
Type de Fournisseur
Agence
Référence croisée
LYPM2337S1P
Médias Disponibles
Fiche technique
Collecteur de courant (Ic) (Max)
LYPM2337S1P
Tension de rupture collecteur-émetteur (max.)
LYPM2337S1P
Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic
LYPM2337S1P
Courant-coupure de collecteur (Max)
LYPM2337S1P
Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce
LYPM2337S1P
Puissance Max
LYPM2337S1P
Fréquence-Transition
LYPM2337S1P
Résistance-socle (R1)
LYPM2337S1P
Résistance-socle émetteur (R2)
LYPM2337S1P
FET Type
LYPM2337S1P
FET Caractéristique
Carbure de silicium (SiC)
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
LYPM2337S1P
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
LYPM2337S1P
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
LYPM2337S1P
Vgs (th) (Max) @ Id
LYPM2337S1P
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
LYPM2337S1P
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
LYPM2337S1P
Fréquence
LYPM2337S1P
Courant nominal (ampères)
LYPM2337S1P
Facteur de bruit
LYPM2337S1P
Alimentation-Sortie
LYPM2337S1P
Tension Nominale
LYPM2337S1P
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
LYPM2337S1P
Vgs (Max)
LYPM2337S1P
Type IGBT
LYPM2337S1P
Configuration
Pont complet
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic
LYPM2337S1P
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce
LYPM2337S1P
Entrée
LYPM2337S1P
Thermistance NTC
LYPM2337S1P
Tension-panne (V (BR) GSS)
LYPM2337S1P
Courant-vidange (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
LYPM2337S1P
Vidange de courant (Id)-Max
LYPM2337S1P
Tension-coupure (VGS off) @ Id
LYPM2337S1P
Résistance-RDS (On)
LYPM2337S1P
Tension-Sortie
LYPM2337S1P
Tension-décalage (Vt)
LYPM2337S1P
Courant-porte à la fuite d'anode (Igao)
LYPM2337S1P
Courant-vallée (Iv)
LYPM2337S1P
Courant-Crête
LYPM2337S1P
Transistor Type
LYPM2337S1P
Type de montage
Surface Mount
IC
LYPM2337S1P
Payment
Paypal\TT\Western Union\Trade Assurance
Product Name
Step-Down DC
Package
Original Packages
Part Number
ICchip
Condition
Original 100%
Quality
100% Original 100% Brand
Service
One Stop Bom Service
Shipping BY
DHL\UPS\Fedex\EMS\HK Post
Brand
Din-Tek Semiconductor
Operating Temperature
LYPM2337S1P
Description
LYPM2337S1P
Voltage
LYPM2337S1P
Applications
LYPM2337S1P
Type
transistors

Emballage et livraison

vente Unités
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