Composants électroniques de mémoire SOlC MB85RS128TYPNF-GS-BCERE1 8, distributeur agréé
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Attributs
FRAM (RAM ferroélectrique)Technologie
Non volatileType de mémoire
16Kx8Organisation de la mémoire
Composant et pièceType
128 KoTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Type de conditionnement:Ruban et bobine (TR), ruban coupé (CT)
Application:Mémoire
Caractéristiques:Composants électroniques en ligne
Tension D'alimentation:1,8 V ~ 3,6 V
Fréquence de l'horloge:33 MHz
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:-
Interface mémoire:PI

5Chips Tech Limited
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Marchés principaux: Kazakhstan, Hong Kong (RAS), Danemark, États-Unis d'Amérique, Australie
Caractéristiques du produit
Technologie
FRAM (RAM ferroélectrique)
Type de mémoire
Non volatile
Organisation de la mémoire
16Kx8
Type
Composant et pièce
Application
Mémoire
Caractéristiques
Composants électroniques en ligne
Fréquence de l'horloge
33 MHz
Point d'origine
China
Taille de La mémoire
128 Ko
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
-
Tension D'alimentation
1,8 V ~ 3,6 V
Type de conditionnement
Ruban et bobine (TR), ruban coupé (CT)
Interface mémoire
PI
Emballage et livraison
vente Unités
Article unique
paquet taille par lot
1X1X1 cm
poids brut par lot
0.100 kg
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MB85RS128TYPNF GS BCERÉ1
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