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Transistor MOSFET MCMN2014HE3-TP, canal N, 12 V, 15 A, SMD DFN2020-6LE, MCMN2014HE3-TP

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Caractéristiques

Référence fabricant

MCMN2014HE3-TP

Type

STANDARD

Marque nom

Shenzhen Leixinrui Electronics Co., Ltd.

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Guangdong, China

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
MCMN2014HE3-TP
Type
STANDARD
Marque nom
Shenzhen Leixinrui Electronics Co., Ltd.
Type de paquet
STANDARD
Description
STANDARD
Point d'origine
Guangdong, China
Package/Boîte
6-VDFN avec pad exposé
Code date de fabrication
STANDARD
Application
STANDARD
Médias Disponibles
STANDARD
Puissance Max
-
FET Type
Canal N
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
12 V
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
15A
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
8 mOhms à 5 A, 8 V
Vgs (th) (Max) @ Id
1,1 V à 250 µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
48 nC @ 8 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
1791 pF @ 10 V
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
2,5 V, 8 V
Vgs (Max)
±8V
Type de montage
STANDARD

Emballage et livraison

vente Unités
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