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Transistor MOSFET MDD50N03D, circuit intégré de commutation de puissance MDD50N03D

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0,0356-0,3552 €
Quantité minimale : 1 pièce
Spécification

Caractéristiques

Référence fabricant

MDD50N03D

Type

MOSFET

Marque nom

Original

Type de paquet

Norme

Description

Circuit intégré de commutation de puissance à transistor MOSFET

Point d'origine

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
MDD50N03D
Type
MOSFET
Marque nom
Original
Type de paquet
Norme
Description
Circuit intégré de commutation de puissance à transistor MOSFET
Point d'origine
Original
Package/Boîte
TO-252
Température de fonctionnement
/
Série
MDD50N03D
Code date de fabrication
22+
Application
/
Type de Fournisseur
/
Référence croisée
/
Médias Disponibles
/
Collecteur de courant (Ic) (Max)
/
Tension de rupture collecteur-émetteur (max.)
/
Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic
/
Courant-coupure de collecteur (Max)
/
Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce
/
Puissance Max
/
Fréquence-Transition
/
Résistance-socle (R1)
/
Résistance-socle émetteur (R2)
/
FET Type
/
FET Caractéristique
/
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
/
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
/
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
/
Vgs (th) (Max) @ Id
/
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
/
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
/
Fréquence
/
Courant nominal (ampères)
/
Facteur de bruit
/
Alimentation-Sortie
/
Tension Nominale
/
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
/
Vgs (Max)
/
Type IGBT
/
Configuration
/
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic
/
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce
/
Entrée
/
Thermistance NTC
/
Tension-panne (V (BR) GSS)
/
Courant-vidange (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
/
Vidange de courant (Id)-Max
/
Tension-coupure (VGS off) @ Id
/
Résistance-RDS (On)
/
Tension-Sortie
/
Tension-décalage (Vt)
/
Courant-porte à la fuite d'anode (Igao)
/
Courant-vallée (Iv)
/
Courant-Crête
/
Transistor Type
Transistor MOSFET
Type de montage
Norme

Emballage et livraison

vente Unités
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